金十数据10月5日讯,据媒体报道,台积电(TSM.N)在2nm制程节点上取得了重大突破,将首次引入Gate-all-around FETs(GAAFET)晶体管技术。此外,N2工艺还结合了NanoFlex技术,为芯片设计人员提供了前所未有的标准元件灵活性。相较于当前的N3E工艺,N2工艺预计将在相同功率下实现10%至15%的性能提升,或在相同频率下将功耗降低25%至30%。更令人瞩目的是,晶体管密度将提升15%,这标志着台积电在半导体技术领域的又一次飞跃。据相关媒体报道,台积电每片300mm的2nm晶圆的价格可能超过3万美元,高于之前预期的2.5万美元。相比之下,目前3nm晶圆的价格大概在1.85万至2万美元,而4/5nm晶圆的价格在1.5到1.6万美元之间,无论如何,可以预见2nm晶圆的价格会有大幅度的提升。
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