据路透社周三报道，SK海力士(SKHY.O)正与英特尔(INTC.O)讨论一项在美国生产存储芯片的合作方案。

三名知情人士称，如果双方最终达成协议，这将是SK海力士首次在美国本土制造存储芯片。目前谈判仍处于探索阶段，尚未作出最终决定。

知情人士透露，双方正在考虑至少两种合作方式。其中一种方案是SK海力士租用英特尔位于俄亥俄州、筹建已久的芯片制造基地部分设施。另一种方案是SK海力士与英特尔及大型云计算企业共同成立合资企业，部分云计算企业希望锁定存储芯片供应。

具体生产哪类存储芯片仍未确定。路透社未能确认，如果合作落地，SK海力士将在俄亥俄州生产何种产品。公司目前的主要产品包括用于服务器、个人电脑和智能手机的DRAM、用于长期数据存储的NAND闪存，以及用于AI处理器的高带宽存储器HBM。

SK海力士向路透社表示，公司正在评估包括建立更多生产基地在内的多种方案，以提升存储业务竞争力，目前没有任何事项已经确定。英特尔拒绝评论其所称的市场猜测，并表示仍在继续投资俄亥俄州项目，为当地生产基地投入使用做准备。

两种方案都指向英特尔俄亥俄州基地

英特尔早在2022年宣布，将投入最高1000亿美元，在俄亥俄州建设大型芯片制造园区，当时计划于2025年启动生产。项目建设此后多次调整，目前两座工厂的完工时间已经分别推迟至2030年和2031年。

对英特尔而言，引入SK海力士可能让尚未投产的俄亥俄州基地获得新的使用方案。路透社称，如果合作达成，也有望缓解英特尔面临的部分财务压力。双方目前尚未确认租赁规模、投资金额或合资企业的股权安排。

SK海力士现阶段在美国建设的芯片生产设施主要位于印第安纳州，但该项目属于先进封装基地，而非存储芯片前端制造工厂。若俄亥俄州方案推进，该公司在美国的业务将进一步延伸至芯片制造环节。

SK集团董事长崔泰源（Chey Tae-won）今年7月曾表示，公司正承受来自客户和多个国家要求增加芯片供应的巨大压力。他当时表示，SK海力士需要考虑在美国建设工厂，在条件允许的情况下应推动相关计划。

人工智能和数据中心建设持续推高存储芯片需求，也是双方讨论合作的现实背景。SK海力士在HBM市场处于领先位置，而服务器和AI基础设施扩张正在增加对高性能存储产品的需求。大型云计算企业参与潜在合资方案，也与其希望提前锁定存储芯片供应有关。

芯片类型和审批仍未确定

在美国生产芯片的成本是另一项现实约束。两名知情人士称，美国半导体制造成本明显高于韩国，主要原因包括劳动力和建设费用较高，同时相当一部分半导体供应链集中在亚洲，增加了在美国生产的综合成本。

潜在合作还涉及技术审批问题。三名知情人士称，如果SK海力士计划在美国生产HBM或DRAM等先进存储芯片，相关技术的性质可能触发韩国现有审查机制。韩国贸易部门表示，企业可以自行作出投资决定，但如果项目涉及“国家核心技术”，需要按照《产业技术保护法》接受审查。