三星电子第三季度营业利润再创纪录，人工智能基础设施建设推动存储芯片需求持续超过供应增长，高带宽存储器（HBM）、传统DRAM和NAND价格上涨共同抬升半导体业务盈利。

三星电子周四公布初步业绩，7月至9月营业利润预计达到107.4万亿韩元，约合802亿美元，较去年同期的12.17万亿韩元增长近8倍，也是公司连续第四个季度刷新营业利润纪录。这是三星季度营业利润首次突破100万亿韩元。

这一数字高于LSEG SmartEstimate汇总的106.1万亿韩元市场预期，但略低于彭博此前汇总的108.7万亿韩元分析师平均预测。三星预计第三季度营收达到195万亿韩元，同比增长约127%，同样创历史新高，不过低于部分机构此前约200万亿韩元以上的预测。

三星目前只公布了初步营收和营业利润数据，各业务部门的具体盈利情况将在本月底完整财报中披露。

存储芯片短缺延续，AI需求推高价格

三星本轮利润扩张的核心仍来自存储芯片。全球科技企业持续增加AI服务器和数据中心投资，对HBM以及服务器DRAM的需求快速增加，而供应扩张速度未能同步跟上。芯片厂商同时将更多产能转向利润率较高的AI相关产品，使传统DRAM和NAND市场也进一步趋紧。

AI基础设施需求正持续超过存储芯片供应增长，市场预计这一缺口至少延续至2027年，部分厂商甚至认为紧张状况可能持续至2028年。

Counterpoint Research近期把第三季度DRAM价格环比涨幅预测由此前的5%至10%上调至10%至20%，原因是客户提前锁定供应，存储芯片制造商的议价能力提高。

TrendForce预计，传统DRAM合约价格第四季度仍将环比上涨10%至15%。这一涨幅已经低于第二季度约60%的大幅上涨，显示价格上涨速度开始放缓，但市场供应尚未恢复宽松。

存储价格上涨已经使三星、SK海力士和美光成为本轮AI资本开支扩张的直接受益者。韩国9月半导体出口同比增长超过两倍，也反映出全球存储需求的强劲程度。

三星的半导体业务因此从几年前存储周期低谷期间的巨额亏损，迅速转向历史最高盈利水平。分析师此前预计，第三季度三星芯片部门营业利润可能达到约110万亿韩元，而智能手机、家电等非芯片业务可能出现亏损。

三星加快追赶HBM，市场份额开始回升

除传统存储价格上涨外，三星在HBM市场的追赶也是当前利润前景的重要变化。

三星此前在面向英伟达等AI加速器的HBM产品认证和供货方面落后于SK海力士，但今年以来其正通过扩大最新HBM4芯片出货逐步缩小差距。

摩根大通预计，三星今年全球HBM市场份额可能从去年的20%升至34%，同期SK海力士的市场份额则可能从60%降至46%。

HBM是AI服务器中与GPU配套使用的关键存储组件，单位售价和利润率明显高于普通存储产品。三星进一步扩大HBM出货，将使公司对传统DRAM价格周期的依赖有所降低。

公司也正在增加长期供应协议。三星7月表示，希望将约三分之二的存储芯片产量纳入长期合同，与大型AI客户提前确定供应和价格框架，以降低传统存储行业剧烈周期波动带来的影响。

这种变化也限制了短期价格进一步快速上涨。长期合同通常带有价格上限或预先设定的价格机制，因此即使现货市场持续紧张，厂商的平均售价涨幅也可能逐渐放缓。

纪录利润未完全消除周期担忧

三星连续刷新利润纪录，但投资者对当前盈利水平能持续多久仍存在疑问。

存储芯片行业长期具有明显的扩产—过剩—降价周期。随着三星、SK海力士和美光增加资本投入，一旦新增产能集中释放，而AI资本开支增速回落，当前供不应求的格局可能发生变化。

SK Securities分析师韩东熙估计，三星第三季度存储芯片营业利润率约为76%，与第二季度基本持平。这意味着存储价格仍在上涨，但利润率进一步扩大的速度已经趋缓。

韩元升值也对三星形成一定影响。据统计，第三季度韩元兑美元累计升值约14.3%，为1998年初以来最大季度升幅。三星大部分收入来自韩国以外市场，本币升值会降低海外收入折算后的韩元价值。

智能手机和家电等业务还受到存储芯片成本上涨的反向冲击。分析师估计，三星手机和家电业务第三季度合计营业亏损可能超过1万亿韩元，显示存储涨价对集团不同业务的影响明显分化。

三星股价今年以来已经上涨超过一倍，但仍较6月高点低约25%。在连续四个季度刷新利润纪录后，市场判断重点已经从单季利润规模逐渐转向存储短缺能够维持多久，以及三星能否通过扩大HBM份额和长期供货合同，把当前AI存储繁荣转化为更稳定的盈利能力。

三星将在10月底公布第三季度完整财务报告，届时将披露半导体、移动设备及消费电子等业务的具体盈利数据。