近期，有消息传出，三星将使用MUF技术生产HBM芯片，且三星最近发出了MUF工具的采购订单。

但三星称将使用MUF技术的“传言”不实。

五位知情人士称，三星电子计划使用竞争对手SK海力士（SK Hynix）倡导的芯片制造技术，这家全球顶级内存芯片制造商正努力在生产用于人工智能的高端芯片的竞争中迎头赶上。

随着生成式人工智能（Generative AI）的日益普及，对高带宽内存（HBM）芯片的需求激增。但与同行SK海力士和美光科技(MU.O)不同的是，三星在与人工智能芯片领头羊英伟达(NVDA.O)的交易中明显缺席。

据分析师和行业观察人士称，三星落后的原因之一是其决定坚持使用会导致一些生产问题的非导电膜（NCF）芯片制造技术，而海力士则转而采用大规模回流模压填充（MR-MUF）方法来解决NCF的弱点。

不过，三位直接了解此事的消息人士称，三星最近已发出采购订单，采购专为处理MUF技术而设计的芯片制造设备。

其中一位消息人士说：“三星必须采取一些措施来提高其HBM（生产）产量......采用MUF技术对三星来说有点‘忍气吞声’的感觉，因为它最终采用了SK海力士最先使用的技术。”

三星表示，其NCF技术是HBM产品的“最佳解决方案”，将用于其新的HBM3E芯片。并表示他们正在按计划开展HBM3E产品业务。

上述消息传出后，三星发表声明称，“关于三星将在其HBM生产中使用MR-MUF的传言并不属实”。

HBM3和HBM3E是最新版本的高带宽内存芯片，与核心微处理器芯片捆绑在一起，帮助处理生成式人工智能中的大量数据。

据几位分析师称，三星的HBM3芯片生产良率约为10-20%，落后于SK海力士，后者的HBM3生产良率约为60-70%。

一位消息人士说，三星也正在与日本长濑等业者洽谈采购MUF材料事宜，使用MUF的高端芯片最早也要到明年才能实现量产，因为三星需要进行更多的测试。

上述三位消息人士还表示，三星计划在其最新的HBM芯片中同时使用NCF和MUF技术。