9月30日，A股存储芯片板块强势爆发。截至收盘，半导体板块整体走强，存储芯片方向领涨，江波龙20cm涨停，华虹公司涨超15%，兆易创新涨超8%。海外存储芯片公司股价隔夜也集体大涨，映射出全球市场对存储芯片的乐观情绪。

今年9月，存储市场迎来第二轮涨价潮。闪迪宣布面向所有渠道和消费者客户的产品价格上调10%以上，美光科技也通知渠道商，其产品价格上调幅度达到20%至30%。自9月12日起，DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等产品全面暂停报价，协议客户价格全部取消，市场一度陷入紧张状态。

早在今年4月，2025年存储芯片市场的第一枪就已经打响，9月的动作则被视为第二轮全面提价的延续。当时，三星率先宣布逐步停止生产DDR4内存颗粒，从而专注于生产更高端、利润更高的DDR5、LPDDR5和HBM内存。

多家机构给出了市场预期。光大证券认为，年末降价的格局已被打破，2025年四季度价格走势优于之前预期。TrendForce预计，三季度和四季度一般型DRAM价格环比分别上涨10%-15%和8%-13%，若计入HBM，涨幅扩大至15%-20%和13%-18%，HBM渗透率分别达到8%和11%。在NAND Flash方面，三季度和四季度价格预计上涨3%-8%和5%-10%。

存储产品价格上涨的背后是供需失衡。受行业巨头的产能调整和AI应用需求推动，DRAM和NAND的全面涨价趋势愈加明显。而在供应方面，生产商纷纷转向更加高端的产品，导致供应收紧。

AI服务器和数据中心对存储的需求呈指数级增长，单台AI服务器需配备3TB以上内存和PB级存储。全球云厂商资本支出同比增长超过50%，加剧了供需紧张。与此同时，超过70%的产能转向更高端的HBM和DDR5，导致传统DRAM和NAND供应锐减，三星、SK海力士等厂商相继缩减DDR4产能。

市场调研显示，DRAM价格指数半年内上涨约72%，消费级SSD在一个半月内价格飙升40%，企业级大容量SSD涨幅超过50%。华强北市场上，16G以上内存条一度难以拿货，部分热门存储芯片价格相比年初翻了三倍。

AI应用的崛起进一步推高了高带宽内存需求。HBM作为AI芯片核心组件，价格涨幅最大，HBM2e半年内上涨80%，HBM3e突破100美元/GB。

东北证券指出，全球存储产业正经历从周期波动向技术驱动的转型，HBM已成为AI加速卡的价值核心，占高端GPU物料成本比重超过50%。国内企业如德明利、佰维存储、江波龙、兆易创新均表示，AI带动存储需求持续扩张，预计四季度价格仍将维持上涨。

涨价压力逐渐传导至下游。存储模组厂商威刚宣布暂停DDR4报价，终端厂商如小米集团毛利率承压，其总裁卢伟冰直言涨价超出预期。真我GT系列、Neo系列负责人谭睿韬指出，DDR4与DDR5价差缩小，加快了行业向DDR5切换。

消费者层面，DDR4价格接近翻倍，手机厂商增加LPDDR4X备货以防供应断裂。机构普遍预计四季度DDR5、LPDDR4X价格仍将上涨。