SK海力士(SKHY.O)旗下美国存储公司Solidigm正在评估在美国建设NAND闪存生产基地，纽约州北部已成为领先候选地区。

若项目最终落地，这将成为Solidigm在美国的首个NAND量产基地，也是SK海力士将美国布局从先进封装进一步延伸至存储芯片前端制造的重要一步。

路透社周五援引三名知情人士报道称，Solidigm正在考虑建设这座工厂，但项目目前仍处于评估阶段。SK海力士随后表示，Solidigm正在研究多种增强业务竞争力的方案，尚未作出最终决定。现有公开信息尚未披露投资规模、规划产能、开工时间和预计量产时间。

纽约州北部成为领先候选地

与路透社披露的纽约州北部方案相比，韩国媒体给出的选址范围更宽。首尔经济日报和朝鲜Biz均称，Solidigm正在研究美国东部的候选地点及建厂条件，目标是建立NAND量产线。韩国ZDNet进一步报道称，公司正在讨论厂址、投资及量产安排等具体事项，但相关方案仍没有进入最终确定阶段。

Solidigm目前在美国设有总部和研发业务，但NAND制造主要集中在大连。如果美国项目实施，公司将首次在其本土市场拥有NAND前端量产能力。Solidigm官网显示，该公司是在SK海力士2021年底收购英特尔SSD和NAND业务后成立，目前作为一家总部位于美国、相对独立运营的SK海力士子公司开展业务。

这一项目与SK海力士近期同英特尔讨论的美国存储芯片生产合作并非同一计划。路透社本周稍早报道称，SK海力士正与英特尔进行初步磋商，研究利用英特尔俄亥俄州工厂生产存储芯片的可能性，讨论方案包括租用部分产能，或引入英特尔及大型云计算企业组建合资安排。双方尚未确定具体合作模式。

按照路透社周五最新披露，Solidigm自行建设NAND工厂是一条独立推进的路径。这也表明，SK海力士正在同时研究自建产能和利用现有美国晶圆厂资源等不同方式，扩大其在美国的存储芯片制造能力。

美国布局已从HBM先进封装向前端制造延伸

SK海力士在美国已经启动一项超过40亿美元的投资，在印第安纳州西拉法叶建设AI存储相关生产基地。SK集团周四发布的信息显示，该项目包括先进封装生产线和研发测试平台，主要服务高带宽存储器（HBM），是SK海力士现阶段美国制造布局中最明确的项目之一。

HBM和NAND在产业链中的功能不同。HBM主要满足AI加速器对高带宽数据传输的需求，NAND则大量应用于服务器和数据中心的持久化存储。Solidigm的核心业务集中在企业级SSD，产品广泛面向数据中心及AI基础设施，因此新的NAND工厂如果实施，将对应晶圆制造环节，与印第安纳州的先进封装项目形成不同的业务分工。

存储需求快速增长是此次评估的重要行业背景。路透社称，持续增加的AI数据中心投资正在造成存储芯片供应紧张。首尔经济日报援引Counterpoint Research数据称，今年第二季度全球NAND市场收入环比增长约70%，同期NAND价格上涨约55%；数据中心对高容量企业级SSD的需求成为本轮增长的重要来源。

美国制造压力与AI需求同时上升

Solidigm评估美国工厂之际，美国政府正在继续推动半导体制造本土化。路透社报道称，特朗普政府正向包括韩国芯片企业在内的海外制造商施压，要求其扩大美国生产；SK海力士此前开始研究与英特尔合作，同样发生在美韩就投资和贸易条件持续磋商期间。

对Solidigm而言，新建美国NAND工厂还涉及生产成本、供应链布局和现有制造体系调整。路透社称，美国制造成本高于亚洲生产基地，加上美韩之间的投资与贸易谈判仍在进行，SK海力士目前对进一步扩大美国前端制造投资保持谨慎。公司对外回应也继续将该项目界定为“评估方案”，而非已经批准的资本支出计划。

截至周五，能够确认的进展仍停留在选址和投资方案研究阶段。纽约州北部处于候选位置前列，但Solidigm尚未宣布最终厂址，也未公布投资金额、晶圆产能及量产时间表；与英特尔俄亥俄州工厂的合作讨论则作为另一项独立方案继续推进。