瑞穗证券分析师乔丹·克莱因（Jordan Klein）本月早些时候指出，投资者对美光科技(MU.O)及其他内存芯片与硬盘制造商“超级看多”。其主要原因是美光近期关于动态随机存取内存（DRAM）价格的多项更新“都极为积极”。

作为DRAM领域的领先厂商，美光也正受益于高带宽内存（HBM）芯片需求激增——这种特种DRAM广泛应用于AI训练和推理中。随着英伟达(NVDA.O)加快推出其新一代Blackwell AI平台，HBM需求迅速上升。

英伟达在5月财报电话会议中透露，Blackwell芯片是公司历史上推进速度最快的产品线，AI推理（即模型训练后做出预测）的兴起进一步推动了客户需求。

克莱因表示，随着英伟达的下一代Blackwell Ultra芯片最快将在年底或明年初推出，HBM芯片密度将显著提高，这将利好美光及其他HBM供应商。

这种积极预期使得大量投资者抢先“布局”美光6月末财报，“担心错过股价突破回升的机会”。

卖方分析师当前预计，美光本季度毛利率将达到36.7%，8月季度则有望达到39%。克莱因指出，如果公司希望维持股价动能，“需要略微超出市场这两个预期”。

此外，FactSet数据显示，分析师预计美光5月季度营收将达到89亿美元，其中DRAM收入预计达69亿美元，每股调整后收益为1.60美元。

此前公司给出的第三财季营收指引为88亿美元（上下浮动2亿美元），调整后毛利率预期为36.5%（±1%），与当前市场一致。

克莱因补充，美光可能正在从竞争对手三星电子手中抢占HBM市场份额。据悉三星在HBM3E芯片上未能顺利通过英伟达的测试认证，而美光已在持续提升HBM良率，并在本月宣布其HBM4芯片已开始发货。

与此同时，美光本月早些时候还表示，已敲定获得《芯片与科学法案》（Chips and Science Act）项下的2.75亿美元直接资金支持，该资金将用于扩建和升级公司位于弗吉尼亚州的一处现有芯片制造工厂。该计划是美光在美国扩大投资计划的一部分，总金额将达2000亿美元，其中还包括在爱达荷州新建两座高产能芯片制造厂，以及在纽约新建最多四座类似工厂。