英伟达(NVDA.O)供应商美光科技(MU.O)表示，持续的存储芯片短缺在过去一个季度进一步加剧，并重申由于AI基础设施所需的高端半导体需求激增，这一紧张局面将持续到今年之后。

美光运营执行副总裁马尼什·巴蒂亚（Manish Bhatia）在上周五接受采访时表示：“我们目前看到的短缺情况确实前所未有。”就在采访前不久，这家芯片制造商刚刚在纽约州锡拉丘兹市郊为一处总投资1000亿美元的生产基地举行了奠基仪式，这也强化了公司在去年12月给出的类似预测。

巴蒂亚表示，为AI加速器提供支持所需的高带宽存储器，正在“消耗整个行业中大量可用产能，从而在手机或个人电脑等传统领域造成了巨大的短缺”。

他补充称，个人电脑和智能手机制造商已经加入排队行列，试图在2026年之后锁定存储芯片供应，而自动驾驶汽车和人形机器人也将进一步推高对这些组件的需求。

据媒体报道，小米集团(1810.HK)、OPPO以及深圳传音控股(688036.SH)等多家中国主要智能手机厂商，因存储成本上升，正在下调2026年的出货目标，其中OPPO的下调幅度最高可达20%。

行业研究机构Counterpoint Research在去年12月估计，由于存储芯片短缺推高成本并挤压产能，今年全球智能手机出货量可能下降2.1%。包括戴尔科技(DELL.N)在内的个人电脑制造商也警告称，可能会受到这轮持续短缺的影响。

受AI热潮推动，全球存储芯片行业三巨头，包括美光、SK海力士和三星电子，在2025年股价大幅上涨。SK海力士表示，其2026年的芯片产能已全部售罄，而美光也称其面向AI的存储半导体今年同样已经满产。

为优先向包括英伟达在内的战略性企业客户供货，美光在去年12月表示，将结束旗下颇受欢迎的Crucial品牌消费级存储业务。AI行业对存储芯片近乎无止境的需求，也令美光加快了其在美国和亚洲的制造扩张步伐。

上周六，美光科技宣布以18亿美元现金收购力积电位于中国台湾铜锣的P5晶圆厂。这一举措将显著缩短美光新工厂投产所需的时间。公司表示，将在2027年下半年开始实现DRAM晶圆的实质性产出。

DRAM为英伟达和英特尔(INTC.O)等公司生产的复杂处理器提供运行环境，是高带宽存储器的核心组成部分，直接关系到AI加速器能否实现最佳性能。

巴蒂亚在上周五的采访中表示：“我们在亚洲工厂所做的，将是持续向下一代技术过渡。”另一方面，他补充称，新增晶圆产能几乎将全部布局在美国。

美光位于锡拉丘兹附近、总投资1000亿美元的项目计划建设4座DRAM晶圆厂，每座厂房的面积约相当于10个足球场。首批晶圆预计将在2030年前后下线。

这家美国芯片制造商还将在博伊西现有研发设施旁新增相当于两座晶圆厂的产能。其中，第一座爱达荷州晶圆厂计划于2027年投产，第二座工厂也正在规划之中。此外，公司还在对弗吉尼亚州的一处现有制造基地进行现代化改造和扩建。

上述计划均是美光承诺将其40%的DRAM制造转移至美国本土的一部分。这一目标得以实现，得益于公司在2024年获得的62亿美元《芯片法案》补贴，以及在建设期间可享受最高35%的税收抵免政策。