德意志银行的一位分析师表示，这一轮存储器周期“与以往不同”，这可能意味着美光科技(MU.O)的股价还将迎来更大涨幅。

德意志银行的梅丽莎·韦瑟斯（Melissa Weathers）表示，动态随机存取存储器（DRAM）的供应将持续紧张至2027年并延续至2028年，尤其是在AI热潮推动高带宽存储器需求大幅增长的背景下。

HBM是通过堆叠DRAM制造而成，对于英伟达(NVDA.O)等公司设计的先进AI芯片至关重要。美光科技是全球领先的HBM生产商之一，其他主要厂商还包括韩国的SK海力士(000660.KS)和三星电子(005930.KS)。

与传统DRAM相比，HBM的“硅用量”约为其三倍，韦瑟斯在周二的一份报告中表示，这意味着其需要更多用于切割芯片的晶圆。她称，这种高强度使用“正在引发我们认为仍未被充分理解的供应冲击”。供应紧张使得美光科技等公司得以上调产品价格，并与客户签订长期合同。

与此同时，韦瑟斯表示，新建DRAM晶圆厂至少需要两年时间才能投产，而现有设施目前也难以扩产以缓解需求紧张。不过，她指出，随着新增产能投放，供应约束可能在明年有所缓解。

韦瑟斯认为，这些动态因素将为美光科技带来“更具结构性盈利能力的环境”，她将该股目标价上调至500美元，较周一收盘价仍有约30%的上涨空间。

美光科技股价周二下跌0.8%，延续了周一的跌势。此前有报道称，美光的存储芯片竞争对手三星电子计划于本月晚些时候开始为英伟达即将推出的Vera Rubin图形处理单元生产其下一代HBM4产品，引发投资者担忧。

韦瑟斯预计，到本十年末，DRAM每比特（即每单位数据存储容量）的需求复合年增长率将超过15%。其中，HBM比特需求在同期的年复合增长率预计将超过30%。

她表示，其模型“反映出AI加速器公司对HBM比特的爆发式增长需求”，这些公司需要先进存储器以支持更大、更复杂的AI模型。新一代AI模型拥有更长的上下文窗口，这意味着它们需要一次性处理更多数据。

在短期内，韦瑟斯表示，终端客户将在难以获取更多产品的情况下依赖现有的存储器库存。她还指出，未来也存在“需求破坏”的可能性，即DRAM价格上涨推高整体物料清单成本，达到终端客户难以承受的水平。